購入 SPB02N60C3ATMA1とBYCHPS
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SPB02N60C3ATMA1
- 部品型番:
- SPB02N60C3ATMA1
- 説明:
- MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
- フリーステータス/ RoHS状態:
- リード/ RoHS非対応
- 在庫数量:
- 12524 Pieces
- データシート:
- SPB02N60C3ATMA1.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 SPB02N60C3ATMA1、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SPB02N60C3ATMA1をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 3.9V @ 80µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO263-3-2 |
| シリーズ: | CoolMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 3 Ohm @ 1.1A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 25W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 他の名前: | SP000013516 SPB02N60C3 SPB02N60C3INTR SPB02N60C3INTR-ND SPB02N60C3XT SPB02N60C3XT-ND |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | SPB02N60C3ATMA1 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 200pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 12.5nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 650V 1.8A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 650V |
| 説明: | MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 1.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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