SPB35N10T
SPB35N10T
部品型番:
SPB35N10T
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18564 Pieces
データシート:
SPB35N10T.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 83µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PG-TO263-3-2
シリーズ:SIPMOS®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):44 mOhm @ 26.4A, 10V
電力消費(最大):150W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:SP000013627
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:SPB35N10T
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1570pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:65nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 100V 35A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
ソース電圧(VDSS)にドレイン:100V
説明:MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):35A (Tc)
Email:[email protected]

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