SPI80N06S-08 - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル SPI80N06S-08

SPI80N06S-08

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 240µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-TO262-3-1
シリーズ:	SIPMOS®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	8 mOhm @ 80A, 10V
電力消費（最大）:	300W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
他の名前:	SP000054055 SP000084809 SPI80N06S08
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	SPI80N06S-08
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	3660pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	187nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	55V
説明:	MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	80A (Tc)
Email:	[email protected]