購入 SPP08N50C3XKSA1とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 3.9V @ 350µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO220-3-1 |
シリーズ: | CoolMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
電力消費(最大): | 83W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-220-3 |
他の名前: | SP000681038 SPP08N50C3 SPP08N50C3IN SPP08N50C3IN-ND SPP08N50C3X SPP08N50C3X-ND SPP08N50C3XK |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
製造元の部品番号: | SPP08N50C3XKSA1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 750pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 32nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 560V 7.6A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 560V |
説明: | MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 7.6A (Tc) |
Email: | [email protected] |