購入 SQ3410EV-T1_GE3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.5V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 6-TSOP |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 17.5 mOhm @ 5A, 10V |
電力消費(最大): | 5W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
他の名前: | SQ3410EV-T1-GE3 SQ3410EV-T1-GE3-ND |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 18 Weeks |
製造元の部品番号: | SQ3410EV-T1_GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1005pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 21nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 30V 8A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
説明: | MOSFET N-CH 30V 8A TSOP-6 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 8A (Tc) |
Email: | [email protected] |