SQ4961EY-T1_GE3 - Vishay Siliconix - トランジスタ-fet、mosfet-アレイ SQ4961EY-T1_GE3

SQ4961EY-T1_GE3

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.5V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:	8-SOIC
シリーズ:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	85 mOhm @ 3.5A, 10V
電力 - 最大:	3.3W
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前:	SQ4961EY-T1_GE3TR
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	18 Weeks
製造元の部品番号:	SQ4961EY-T1_GE3
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1140pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	40nC @ 10V
FETタイプ:	P-Channel
FET特長:	Standard
拡張された説明:	Mosfet Array P-Channel 60V 4.4A (Tc) 3.3W Surface Mount 8-SOIC
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	60V
説明:	MOSFET DUAL P-CHAN 60V SO8
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	4.4A (Tc)
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
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