SQM120P04-04L_GE3 - Vishay Siliconix - トランジスタ-fet、mosfet-シングル SQM120P04-04L_GE3

SQM120P04-04L_GE3

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.5V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-263 (D2Pak)
シリーズ:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	4 mOhm @ 30A, 10V
電力消費（最大）:	375W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:	SQM120P04-04L-GE3 SQM120P04-04L-GE3-ND SQM120P04-04L_GE3-ND SQM120P04-04L_GE3TR
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	18 Weeks
製造元の部品番号:	SQM120P04-04L_GE3
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	13980pF @ 20V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	330nC @ 10V
FETタイプ:	P-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	P-Channel 40V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	40V
説明:	MOSFET P-CH 40V 120A TO-263
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	120A (Tc)
Email:	[email protected]