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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-アレイ > SSM6N36FE,LM
SSM6N36FE,LM
SSM6N36FE,LM
部品型番:
SSM6N36FE,LM
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12503 Pieces
データシート:
1.SSM6N36FE,LM.pdf2.SSM6N36FE,LM.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:1V @ 1mA
サプライヤデバイスパッケージ:ES6 (1.6x1.6)
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:630 mOhm @ 200mA, 5V
電力 - 最大:150mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SOT-563, SOT-666
他の名前:SSM6N36FE(TE85L,F)
SSM6N36FE(TE85LF)TR
SSM6N36FE(TE85LF)TR-ND
SSM6N36FE,LM(B
SSM6N36FE,LM(T
SSM6N36FELM(TTR
SSM6N36FELM(TTR-ND
SSM6N36FELMTR
SSM6N36FETE85LF
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:16 Weeks
製造元の部品番号:SSM6N36FE,LM
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:46pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:1.23nC @ 4V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual)
FET特長:Logic Level Gate
拡張された説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 500mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:20V
説明:MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:500mA
Email:[email protected]

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