STB11NM80T4
STB11NM80T4
部品型番:
STB11NM80T4
メーカー:
ST
説明:
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15403 Pieces
データシート:
STB11NM80T4.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):5V @ 250µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:D2PAK
シリーズ:MDmesh™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):400 mOhm @ 5.5A, 10V
電力消費(最大):150W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:497-4319-2
運転温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:18 Weeks
製造元の部品番号:STB11NM80T4
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1630pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:43.6nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 800V 11A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:800V
説明:MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):11A (Tc)
Email:[email protected]

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