STP8NM60D - STMicroelectronics - トランジスタ-fet、mosfet-シングル STP8NM60D

STP8NM60D

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同上@ VGS（TH）（最大）:	5V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-220AB
シリーズ:	MDmesh™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	1 Ohm @ 2.5A, 10V
電力消費（最大）:	100W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-220-3
他の名前:	497-6194-5
運転温度:	-65°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	3 (168 Hours)
製造元の部品番号:	STP8NM60D
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	380pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	18nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 600V 8A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	600V
説明:	MOSFET N-CH 600V 8A TO-220
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	8A (Tc)
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
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IXFH16N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 16A TO-247	オンラインお問い合わせ
STP8NM50N	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB	オンラインお問い合わせ
STP8NM60	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 650V 8A TO-220	オンラインお問い合わせ
CSD19531KCS	Texas Instruments	MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3	オンラインお問い合わせ
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PH16030L,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 38A LFPAK	オンラインお問い合わせ
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