STS4C3F60L - STMicroelectronics - トランジスタ-fet、mosfet-アレイ STS4C3F60L

STS4C3F60L

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同上@ VGS（TH）（最大）:	1V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:	8-SO
シリーズ:	STripFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	55 mOhm @ 2A, 10V
電力 - 最大:	2W
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前:	497-4396-2
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	STS4C3F60L
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1030pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	20.4nC @ 4.5V
FETタイプ:	N and P-Channel
FET特長:	Logic Level Gate
拡張された説明:	Mosfet Array N and P-Channel 60V 4A, 3A 2W Surface Mount 8-SO
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	60V
説明:	MOSFET N/P-CH 60V 4A/3A 8SOIC
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	4A, 3A
Email:	[email protected]