STSJ100NHS3LL
部品型番:
STSJ100NHS3LL
メーカー:
ST
説明:
MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14678 Pieces
データシート:
STSJ100NHS3LL.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 1mA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-SOIC-EP
シリーズ:STripFET™ III
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):4.2 mOhm @ 10A, 10V
電力消費(最大):3W (Ta), 70W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):3 (168 Hours)
製造元の部品番号:STSJ100NHS3LL
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:4200pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:35nC @ 4.5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 30V 100A (Tc) 3W (Ta), 70W (Tc) Surface Mount 8-SOIC-EP
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET N-CH 30V 20A PWR8SOIC
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):100A (Tc)
Email:[email protected]

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