SUD09P10-195-GE3
SUD09P10-195-GE3
部品型番:
SUD09P10-195-GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12725 Pieces
データシート:
SUD09P10-195-GE3.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-252, (D-Pak)
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):195 mOhm @ 3.6A, 10V
電力消費(最大):2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:SUD09P10-195-GE3TR
SUD09P10195GE3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:16 Weeks
製造元の部品番号:SUD09P10-195-GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1055pF @ 50V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:34.8nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 100V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 32.1W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:100V
説明:MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):8.8A (Tc)
Email:[email protected]

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