購入 SUD19P06-60-GE3とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 3V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-252, (D-Pak) |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 60 mOhm @ 10A, 10V |
電力消費(最大): | 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前: | SUD19P06-60-GE3TR SUD19P0660GE3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 15 Weeks |
製造元の部品番号: | SUD19P06-60-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1710pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 40nC @ 10V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 60V 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 60V |
説明: | MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 18.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |