購入 SUD35N10-26P-T4GE3とBYCHPS
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SUD35N10-26P-T4GE3
- 部品型番:
- SUD35N10-26P-T4GE3
- メーカー:
- Vishay / Siliconix
- 説明:
- MOSFET N-CH 100V 35A TO252
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 15331 Pieces
- データシート:
- SUD35N10-26P-T4GE3.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 SUD35N10-26P-T4GE3、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SUD35N10-26P-T4GE3をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4.4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-252, (D-Pak) |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 26 mOhm @ 12A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 8.3W (Ta), 83W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 15 Weeks |
| 製造元の部品番号: | SUD35N10-26P-T4GE3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 2000pF @ 12V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 47nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 100V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 7V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 100V |
| 説明: | MOSFET N-CH 100V 35A TO252 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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