SUM110N03-04P-E3 - Vishay Siliconix - トランジスタ-fet、mosfet-シングル SUM110N03-04P-E3

SUM110N03-04P-E3

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同上@ VGS（TH）（最大）:	3V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-263 (D2Pak)
シリーズ:	TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	4.2 mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大）:	3.75W (Ta), 120W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:	SUM110N03-04P-E3-ND SUM110N03-04P-E3TR SUM110N0304PE3
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	SUM110N03-04P-E3
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	5100pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	60nC @ 4.5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 30V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET N-CH 30V 110A D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	110A (Tc)
Email:	[email protected]