購入 SVD5865NLT4GとBYCHPS
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SVD5865NLT4G
- 部品型番:
- SVD5865NLT4G
- 説明:
- MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 17227 Pieces
- データシート:
- SVD5865NLT4G.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 SVD5865NLT4G、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください SVD5865NLT4Gをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | DPAK |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 16 mOhm @ 19A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 3.1W (Ta), 71W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 他の名前: | NVD5865NLT4G NVD5865NLT4G-ND NVD5865NLT4GOSTR NVD5865NLT4GOSTR-ND SVD5865NLT4GOSTR |
| 運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 30 Weeks |
| 製造元の部品番号: | SVD5865NLT4G |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 1400pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 29nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 60V 10A (Ta), 46A (Tc) 3.1W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount DPAK |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 60V |
| 説明: | MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 10A (Ta), 46A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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