TC58NYG2S0HBAI6
TC58NYG2S0HBAI6
部品型番:
TC58NYG2S0HBAI6
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15404 Pieces
データシート:
TC58NYG2S0HBAI6.pdf

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規格

電源電圧 - :1.7 V ~ 1.95 V
サプライヤデバイスパッケージ:67-VFBGA (6.5x8)
速度:25ns
シリーズ:-
パッケージング:Tray
パッケージ/ケース:67-VFBGA
他の名前:TC58NYG2S0HBAI6JDH
TC58NYG2S0HBAI6YCL
運転温度:-40°C ~ 85°C (TA)
水分感受性レベル(MSL):3 (168 Hours)
メモリタイプ:Non-Volatile
記憶容量:4Gb (512M x 8)
メモリ形式:EEPROM
製造元の部品番号:TC58NYG2S0HBAI6
インタフェース:Parallel
説明:IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
Email:[email protected]

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