TK100L60W,VQ
TK100L60W,VQ
部品型番:
TK100L60W,VQ
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
19674 Pieces
データシート:
TK100L60W,VQ.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):3.7V @ 5mA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-3P(L)
シリーズ:DTMOSIV
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):18 mOhm @ 50A, 10V
電力消費(最大):797W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-3PL
他の名前:TK100L60W,VQ(O
TK100L60WVQ
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:16 Weeks
製造元の部品番号:TK100L60W,VQ
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:15000pF @ 30V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:360nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:Super Junction
拡張された説明:N-Channel 600V 100A (Ta) 797W (Tc) Through Hole TO-3P(L)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:600V
説明:MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):100A (Ta)
Email:[email protected]

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