TK12Q60W,S1VQ
TK12Q60W,S1VQ
部品型番:
TK12Q60W,S1VQ
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14531 Pieces
データシート:
TK12Q60W,S1VQ.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):3.7V @ 600µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:I-Pak
シリーズ:DTMOSIV
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):340 mOhm @ 5.8A, 10V
電力消費(最大):100W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-251-3 Stub Leads, IPak
他の名前:TK12Q60WS1VQ
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:TK12Q60W,S1VQ
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:890pF @ 300V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:25nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:Super Junction
拡張された説明:N-Channel 600V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Through Hole I-Pak
ソース電圧(VDSS)にドレイン:600V
説明:MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):11.5A (Ta)
Email:[email protected]

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