購入 TK12Q60W,S1VQとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 3.7V @ 600µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | I-Pak |
シリーズ: | DTMOSIV |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 340 mOhm @ 5.8A, 10V |
電力消費(最大): | 100W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
他の名前: | TK12Q60WS1VQ |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | TK12Q60W,S1VQ |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 890pF @ 300V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 25nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | Super Junction |
拡張された説明: | N-Channel 600V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Through Hole I-Pak |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 600V |
説明: | MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 11.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |