TK30E06N1,S1X
TK30E06N1,S1X
部品型番:
TK30E06N1,S1X
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 60V 43A TO-220
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14406 Pieces
データシート:
TK30E06N1,S1X.pdf

簡潔な

BYCHIPSは、 TK30E06N1,S1X、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください TK30E06N1,S1Xをメールでお送りします。
購入 TK30E06N1,S1XとBYCHPS
保証付きで購入する

規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 200µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220
シリーズ:U-MOSVIII-H
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):15 mOhm @ 15A, 10V
電力消費(最大):53W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3
他の名前:TK30E06N1,S1X(S
TK30E06N1S1X
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:TK30E06N1,S1X
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1050pF @ 30V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:16nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 60V 43A (Ta) 53W (Tc) Through Hole TO-220
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:60V
説明:MOSFET N-CH 60V 43A TO-220
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):43A (Ta)
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考