購入 TK32E12N1,S1XとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 500µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-220 |
シリーズ: | U-MOSVIII-H |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 13.8 mOhm @ 16A, 10V |
電力消費(最大): | 98W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-220-3 |
他の名前: | TK32E12N1,S1X(S TK32E12N1S1X |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 16 Weeks |
製造元の部品番号: | TK32E12N1,S1X |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 2000pF @ 60V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 34nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 120V 60A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 120V |
説明: | MOSFET N CH 120V 60A TO-220 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |