TK32E12N1,S1X
TK32E12N1,S1X
部品型番:
TK32E12N1,S1X
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
13730 Pieces
データシート:
TK32E12N1,S1X.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 500µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220
シリーズ:U-MOSVIII-H
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):13.8 mOhm @ 16A, 10V
電力消費(最大):98W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3
他の名前:TK32E12N1,S1X(S
TK32E12N1S1X
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:16 Weeks
製造元の部品番号:TK32E12N1,S1X
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2000pF @ 60V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:34nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 120V 60A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:120V
説明:MOSFET N CH 120V 60A TO-220
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):60A (Tc)
Email:[email protected]

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