TK3R1E04PL,S1X
TK3R1E04PL,S1X
部品型番:
TK3R1E04PL,S1X
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17427 Pieces
データシート:
TK3R1E04PL,S1X.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.4V @ 500µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220
シリーズ:U-MOSIX-H
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):3.8 mOhm @ 30A, 4.5V
電力消費(最大):87W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3
他の名前:TK3R1E04PL,S1X(S
TK3R1E04PLS1X
運転温度:175°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:TK3R1E04PL,S1X
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:4670pF @ 20V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:63.4nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 40V 100A 87W (Tc) Through Hole TO-220
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:40V
説明:X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):100A
Email:[email protected]

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