購入 TK4A60D(STA4,Q,M)とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4.4V @ 1mA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-220SIS |
シリーズ: | π-MOSVII |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 1.7 Ohm @ 2A, 10V |
電力消費(最大): | 35W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-220-3 Full Pack |
他の名前: | TK4A60D(Q) TK4A60D(Q)-ND TK4A60D(STA4QM) |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | TK4A60D(STA4,Q,M) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 600pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 12nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 600V 4A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 600V |
説明: | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 4A (Ta) |
Email: | [email protected] |