購入 TK62J60W,S1VQとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 3.7V @ 3.1mA |
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Vgs(最大): | ±30V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-3P(N) |
シリーズ: | DTMOSIV |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 38 mOhm @ 30.9A, 10V |
電力消費(最大): | 400W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-3P-3, SC-65-3 |
他の名前: | TK62J60W,S1VQ(O TK62J60WS1VQ |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 16 Weeks |
製造元の部品番号: | TK62J60W,S1VQ |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 6500pF @ 300V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 180nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | Super Junction |
拡張された説明: | N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-3P(N) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 600V |
説明: | MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N) |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 61.8A (Ta) |
Email: | [email protected] |