TK6A80E,S4X
TK6A80E,S4X
部品型番:
TK6A80E,S4X
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 800V TO220SIS
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
19282 Pieces
データシート:
TK6A80E,S4X.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 600µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220SIS
シリーズ:π-MOSVIII
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):1.7 Ohm @ 3A, 10V
電力消費(最大):45W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
他の名前:TK6A80E,S4X(S
TK6A80ES4X
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:TK6A80E,S4X
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1350pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:32nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 800V 6A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:800V
説明:MOSFET N-CH 800V TO220SIS
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):6A (Ta)
Email:[email protected]

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