TK9J90E,S1E
TK9J90E,S1E
部品型番:
TK9J90E,S1E
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 900V TO-3PN
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17824 Pieces
データシート:
TK9J90E,S1E.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 900µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-3P(N)
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
電力消費(最大):250W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-3P-3, SC-65-3
他の名前:TK9J90E,S1E(S
TK9J90ES1E
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:TK9J90E,S1E
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2000pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:46nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 900V 9A (Ta) 250W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:900V
説明:MOSFET N-CH 900V TO-3PN
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):9A (Ta)
Email:[email protected]

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