TP0610K-T1-GE3
部品型番:
TP0610K-T1-GE3
メーカー:
Vishay / Siliconix
説明:
MOSFET P-CH 60V 185MA TO-236
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17143 Pieces
データシート:
TP0610K-T1-GE3.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):3V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ:TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):6 Ohm @ 500mA, 10V
電力消費(最大):350mW (Ta)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前:TP0610K-T1-GE3-ND
TP0610K-T1-GE3TR
TP0610KT1GE3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:15 Weeks
製造元の部品番号:TP0610K-T1-GE3
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:23pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:1.7nC @ 15V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 60V 185mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:60V
説明:MOSFET P-CH 60V 185MA TO-236
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):185mA (Ta)
Email:[email protected]

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