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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > TPC8012-H(TE12L,Q)
TPC8012-H(TE12L,Q)
部品型番:
TPC8012-H(TE12L,Q)
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
19475 Pieces
データシート:
1.TPC8012-H(TE12L,Q).pdf2.TPC8012-H(TE12L,Q).pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:5V @ 1mA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-SOP (5.5x6.0)
シリーズ:π-MOSV
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:400 mOhm @ 900mA, 10V
電力消費（最大）:1W (Ta)
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
他の名前:TPC8012-HDKR
TPC8012-HDKR-ND
TPC8012-HQDKR
TPC8012HTE12LQ
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
製造元の部品番号:TPC8012-H(TE12L,Q)
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:440pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:11nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 200V 1.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:200V
説明:MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:1.8A (Ta)
Email:[email protected]

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