TPC8212-H(TE12LQ,M
部品型番:
TPC8212-H(TE12LQ,M
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12416 Pieces
データシート:
1.TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf2.TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.3V @ 1mA
サプライヤデバイスパッケージ:8-SOP (5.5x6.0)
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):21 mOhm @ 3A, 10V
電力 - 最大:450mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:TPC8212-H(TE12LQ,M
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:840pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:16nC @ 10V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual)
FET特長:Logic Level Gate
拡張された説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):6A
Email:[email protected]

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