TPCF8B01(TE85L,F,M
TPCF8B01(TE85L,F,M
部品型番:
TPCF8B01(TE85L,F,M
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
13366 Pieces
データシート:
1.TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf2.TPCF8B01(TE85L,F,M.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):1.2V @ 200µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:VS-8 (2.9x1.9)
シリーズ:U-MOSIII
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):110 mOhm @ 1.4A, 4.5V
電力消費(最大):330mW (Ta)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-SMD, Flat Lead
他の名前:TPCF8B01(TE85L,F)
TPCF8B01(TE85L,F)-ND
TPCF8B01(TE85LFMTR
TPCF8B01FTR
TPCF8B01FTR-ND
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:TPCF8B01(TE85L,F,M
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:470pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:6nC @ 5V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:Schottky Diode (Isolated)
拡張された説明:P-Channel 20V 2.7A (Ta) 330mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.9)
ソース電圧(VDSS)にドレイン:20V
説明:MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):2.7A (Ta)
Email:[email protected]

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