購入 TPH1110ENH,L1QとBYCHPS
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TPH1110ENH,L1Q
- 部品型番:
- TPH1110ENH,L1Q
- 説明:
- MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 15919 Pieces
- データシート:
- TPH1110ENH,L1Q.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 TPH1110ENH,L1Q、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください TPH1110ENH,L1Qをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4V @ 200µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SOP Advance (5x5) |
| シリーズ: | U-MOSVIII-H |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 114 mOhm @ 3.6A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 1.6W (Ta), 42W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-PowerVDFN |
| 他の名前: | TPH1110ENH,L1Q(M TPH1110ENHL1QTR |
| 運転温度: | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 16 Weeks |
| 製造元の部品番号: | TPH1110ENH,L1Q |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 600pF @ 100V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 7nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 200V 7.2A (Ta) 1.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 200V |
| 説明: | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 7.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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