TPH12008NH,L1Q
TPH12008NH,L1Q
部品型番:
TPH12008NH,L1Q
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET N CH 80V 24A SOP
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17093 Pieces
データシート:
TPH12008NH,L1Q.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 300µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-SOP Advance (5x5)
シリーズ:U-MOSVIII-H
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):12.3 mOhm @ 12A, 10V
電力消費(最大):1.6W (Ta), 48W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
他の名前:TPH12008NH,L1Q(M
TPH12008NHL1Q
TPH12008NHL1QTR
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:16 Weeks
製造元の部品番号:TPH12008NH,L1Q
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1900pF @ 40V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:22nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 80V 24A (Tc) 1.6W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
ソース電圧(VDSS)にドレイン:80V
説明:MOSFET N CH 80V 24A SOP
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):24A (Tc)
Email:[email protected]

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