TPN11006NL,LQ
TPN11006NL,LQ
部品型番:
TPN11006NL,LQ
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12408 Pieces
データシート:
TPN11006NL,LQ.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 200µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-TSON Advance (3.3x3.3)
シリーズ:U-MOSVIII-H
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):11.4 mOhm @ 8.5A, 10V
電力消費(最大):700mW (Ta), 30W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
他の名前:TPN11006NL,LQ(S
TPN11006NLLQTR
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:TPN11006NL,LQ
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2000pF @ 30V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:23nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 60V 17A (Tc) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:60V
説明:MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):17A (Tc)
Email:[email protected]

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