購入 TPN1R603PL,L1QとBYCHPS
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TPN1R603PL,L1Q
- 部品型番:
- TPN1R603PL,L1Q
- 説明:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 17497 Pieces
- データシート:
- TPN1R603PL,L1Q.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 TPN1R603PL,L1Q、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください TPN1R603PL,L1Qをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 10V @ 10µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| シリーズ: | U-MOSIX-H |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 1.2 mOhm @ 80A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 104W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-PowerVDFN |
| 他の名前: | TPN1R603PL,L1Q(M TPN1R603PLL1Q TPN1R603PLL1QTR |
| 運転温度: | 175°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| メーカーの標準リードタイム: | 12 Weeks |
| 製造元の部品番号: | TPN1R603PL,L1Q |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 3900pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 41nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 30V 80A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 30V |
| 説明: | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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