TPN2R203NC,L1Q
TPN2R203NC,L1Q
部品型番:
TPN2R203NC,L1Q
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17520 Pieces
データシート:
TPN2R203NC,L1Q.pdf

簡潔な

BYCHIPSは、 TPN2R203NC,L1Q、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください TPN2R203NC,L1Qをメールでお送りします。
購入 TPN2R203NC,L1QとBYCHPS
保証付きで購入する

規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.3V @ 500µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-TSON Advance (3.3x3.3)
シリーズ:U-MOSVIII
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):2.2 mOhm @ 22.5A, 10V
電力消費(最大):700mW (Ta), 42W (Tc)
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
他の名前:TPN2R203NC,L1QDKR
TPN2R203NC,L1QDKR-ND
TPN2R203NCL1QDKR
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:TPN2R203NC,L1Q
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2230pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:34nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 30V 45A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):45A (Tc)
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考