購入 TPW4R008NH,L1QとBYCHPS
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TPW4R008NH,L1Q
- 部品型番:
- TPW4R008NH,L1Q
- 説明:
- MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 18411 Pieces
- データシート:
- TPW4R008NH,L1Q.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 TPW4R008NH,L1Q、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください TPW4R008NH,L1Qをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 8-DSOP Advance |
| シリーズ: | U-MOSVIII-H |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 4 mOhm @ 50A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 800mW (Ta), 142W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-PowerWDFN |
| 他の名前: | TPW4R008NH,L1Q(M TPW4R008NHL1QTR |
| 運転温度: | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 12 Weeks |
| 製造元の部品番号: | TPW4R008NH,L1Q |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 5300pF @ 40V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 59nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 80V 116A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 80V |
| 説明: | MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 116A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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