購入 UNR411100AとBYCHPS
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UNR411100A
- 部品型番:
- UNR411100A
- メーカー:
- Panasonic
- 説明:
- TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 12036 Pieces
- データシート:
- UNR411100A.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 UNR411100A、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください UNR411100Aをメールでお送りします。
規格
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: | 50V |
|---|---|
| IB、IC @ Vce飽和（最大）: | 250mV @ 300µA, 10mA |
| トランジスタ型式: | PNP - Pre-Biased |
| サプライヤデバイスパッケージ: | NS-B1 |
| シリーズ: | - |
| 抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）: | 10k |
| 抵抗 - ベース（R1）（オーム）: | 10k |
| 電力 - 最大: | 300mW |
| パッケージング: | Cut Tape (CT) |
| パッケージ/ケース: | NS-B1 |
| 他の名前: | UNR411100ACT |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | UNR411100A |
| 周波数 - トランジション: | 80MHz |
| 拡張された説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 300mW Through Hole NS-B1 |
| 説明: | TRANS PREBIAS PNP 300MW NS-B1 |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）: | 35 @ 5mA, 10V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大）: | 500nA |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max）: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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