購入 VN2210N3-GとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.4V @ 10mA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-92-3 |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 350 mOhm @ 4A, 10V |
電力消費(最大): | 740mW (Tc) |
パッケージング: | Bulk |
パッケージ/ケース: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 14 Weeks |
製造元の部品番号: | VN2210N3-G |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 500pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | - |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 100V 1.2A (Tj) 740mW (Tc) Through Hole TO-92-3 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 100V |
説明: | MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 1.2A (Tj) |
Email: | [email protected] |