購入 VQ1001P-E3とBYCHPS
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VQ1001P-E3
- 部品型番:
- VQ1001P-E3
- メーカー:
- Vishay / Siliconix
- 説明:
- MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 19668 Pieces
- データシート:
- VQ1001P-E3.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 VQ1001P-E3、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください VQ1001P-E3をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| サプライヤデバイスパッケージ: | 14-DIP |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 1.75 Ohm @ 200mA, 5V |
| 電力 - 最大: | 2W |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | - |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 15 Weeks |
| 製造元の部品番号: | VQ1001P-E3 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 110pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | - |
| FETタイプ: | 4 N-Channel |
| FET特長: | Logic Level Gate |
| 拡張された説明: | Mosfet Array 4 N-Channel 30V 830mA 2W Through Hole 14-DIP |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 30V |
| 説明: | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 830mA |
| Email: | [email protected] |
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