English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
関連情報 | お問い合わせ | オンラインお問い合わせ |
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-アレイ > VWM200-01P
VWM200-01P
部品型番:
VWM200-01P
メーカー:
IXYS Corporation
説明:
MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12387 Pieces
データシート:
VWM200-01P.pdf
オンラインお問い合わせ

簡潔な

BYCHIPSは、 VWM200-01P、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください VWM200-01Pをメールでお送りします。
購入 VWM200-01PとBYCHPS
保証付きで購入する

規格

同上@ VGS（TH）（最大）:4V @ 2mA
サプライヤデバイスパッケージ:V2-PAK
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:5.2 mOhm @ 100A, 10V
電力 - 最大:-
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:V2-PAK
運転温度:-40°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
製造元の部品番号:VWM200-01P
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:-
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:430nC @ 10V
FETタイプ:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET特長:Standard
拡張された説明:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 210A Through Hole V2-PAK
ソース電圧（VDSS）にドレイン:100V
説明:MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:210A
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考

同様のモデルのVWM200-01P

絵 部品型番 メーカー 説明 ビュー
SI3590DV-T1-E3 Image SI3590DV-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP オンラインお問い合わせ
SI4562DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC オンラインお問い合わせ
PMDXB950UPEZ Image PMDXB950UPEZ Nexperia USA Inc. MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN オンラインお問い合わせ
SI4563DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC オンラインお問い合わせ
SI4808DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC オンラインお問い合わせ
SI7909DN-T1-GE3 Image SI7909DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 オンラインお問い合わせ
NDS8961 Image NDS8961 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC オンラインお問い合わせ
XP0187800L Image XP0187800L Panasonic Electronic Components MOSFET 2N-CH 50V .1A S MINI-5P オンラインお問い合わせ
PMWD19UN,518 NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP オンラインお問い合わせ

最新ニュース