JAN1N5552US
JAN1N5552US
部品型番:
JAN1N5552US
メーカー:
Microsemi
説明:
DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF
フリーステータス/ RoHS状態:
リード/ RoHS非対応
在庫数量:
12836 Pieces
データシート:
JAN1N5552US.pdf

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規格

電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@:1.2V @ 9A
電圧 - 逆(VR)(最大):600V
サプライヤデバイスパッケージ:D-5B
速度:Fast Recovery = 200mA (Io)
シリーズ:Military, MIL-PRF-19500/420
逆回復時間(trrの):2µs
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:SQ-MELF, B
他の名前:1086-19414
1086-19414-MIL
動作温度 - ジャンクション:-65°C ~ 175°C
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:8 Weeks
製造元の部品番号:JAN1N5552US
拡張された説明:Diode Standard 600V 3A Surface Mount D-5B
ダイオードタイプ:Standard
説明:DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF
電流 - 漏れ@ Vrとリバース:1µA @ 600V
電流 - 平均整流(イオ​​):3A
Vrと、F @キャパシタンス:-
Email:[email protected]

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