STI14NM65N - STMicroelectronics - トランジスタ-fet、mosfet-シングル STI14NM65N - BYCHIPS

STI14NM65N

部品型番:: STI14NM65N

メーカー:: ST

説明:: MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 18093 Pieces

データシート:: STI14NM65N.pdf

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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	I2PAK
シリーズ:	MDmesh™ II
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	380 mOhm @ 6A, 10V
電力消費（最大）:	125W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	STI14NM65N
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1300pF @ 50V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	45nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 650V 12A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	650V
説明:	MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	12A (Tc)
Email:	[email protected]

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