2SK1119(F)
部品型番:
2SK1119(F)
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12200 Pieces
データシート:
1.2SK1119(F).pdf2.2SK1119(F).pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):3.5V @ 1mA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220AB
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):3.8 Ohm @ 2A, 10V
電力消費(最大):100W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:2SK1119(F)
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:700pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:60nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 1000V (1kV) 4A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
ソース電圧(VDSS)にドレイン:1000V (1kV)
説明:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):4A (Ta)
Email:[email protected]

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