APTM60H23FT1G
部品型番:
APTM60H23FT1G
メーカー:
Microsemi
説明:
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17297 Pieces
データシート:
1.APTM60H23FT1G.pdf2.APTM60H23FT1G.pdf

簡潔な

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):5V @ 1mA
サプライヤデバイスパッケージ:SP1
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):276 mOhm @ 17A, 10V
電力 - 最大:208W
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:SP1
他の名前:APTM60H23UT1G
APTM60H23UT1G-ND
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:22 Weeks
製造元の部品番号:APTM60H23FT1G
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:5316pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:165nC @ 10V
FETタイプ:4 N-Channel (H-Bridge)
FET特長:Standard
拡張された説明:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 20A 208W Chassis Mount SP1
ソース電圧(VDSS)にドレイン:600V
説明:MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):20A
Email:[email protected]

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