BSZ120P03NS3EGATMA1
BSZ120P03NS3EGATMA1
部品型番:
BSZ120P03NS3EGATMA1
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12361 Pieces
データシート:
BSZ120P03NS3EGATMA1.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):3.1V @ 73µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PG-TSDSON-8
シリーズ:OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):12 mOhm @ 20A, 10V
電力消費(最大):2.1W (Ta), 52W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
他の名前:BSZ120P03NS3E G
BSZ120P03NS3E G-ND
SP000709730
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:BSZ120P03NS3EGATMA1
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:3360pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:45nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 30V 11A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):11A (Ta), 40A (Tc)
Email:[email protected]

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