購入 BSZ12DN20NS3GATMA1とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 25µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TSDSON-8 |
シリーズ: | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 125 mOhm @ 5.7A, 10V |
電力消費(最大): | 50W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-PowerTDFN |
他の名前: | BSZ12DN20NS3 G BSZ12DN20NS3G BSZ12DN20NS3GATMA1TR BSZ12DN20NS3GTR BSZ12DN20NS3GTR-ND SP000781784 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 12 Weeks |
製造元の部品番号: | BSZ12DN20NS3GATMA1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 680pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 8.7nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 200V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 200V |
説明: | MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 11.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |