C3M0065090J-TR - Cree/Wolfspeed - トランジスタ-fet、mosfet-シングル C3M0065090J-TR

C3M0065090J-TR

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.1V @ 5mA
技術:	SiCFET (Silicon Carbide)
サプライヤデバイスパッケージ:	D2PAK (7-Lead)
シリーズ:	C3M™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	78 mOhm @ 20A, 15V
電力消費（最大）:	113W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	3 (168 Hours)
製造元の部品番号:	C3M0065090J-TR
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	660pF @ 600V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	30nC @ 15V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 900V 35A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	900V
説明:	MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	35A (Tc)
Email:	[email protected]