C3M0065100J
部品型番:
C3M0065100J
メーカー:
Cree
説明:
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
13109 Pieces
データシート:
C3M0065100J.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):3.5V @ 5mA
Vgs(最大):+15V, -4V
技術:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
サプライヤデバイスパッケージ:D2PAK-7
シリーズ:C3M™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):78 mOhm @ 20A, 15V
電力消費(最大):113.5W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:C3M0065100J
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:660pF @ 600V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:35nC @ 15V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 1000V (1kV) 35A (Tc) 113.5W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:1000V (1kV)
説明:1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):35A (Tc)
Email:[email protected]

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