DMN1019UVT-13 - Diodes Incorporated - トランジスタ-fet、mosfet-シングル DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

簡潔な

BYCHIPSは、 DMN1019UVT-13、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください DMN1019UVT-13をメールでお送りします。

購入 DMN1019UVT-13とBYCHPS

保証付きで購入する

同上@ VGS（TH）（最大）:	800mV @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TSOT-26
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
電力消費（最大）:	1.73W (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
他の名前:	DMN1019UVT-13DI
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	8 Weeks
製造元の部品番号:	DMN1019UVT-13
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	2588pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	50.4nC @ 8V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 12V 10.7A (Ta) 1.73W (Ta) Surface Mount TSOT-26
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	12V
説明:	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	10.7A (Ta)
Email:	[email protected]